Faasimuutosmuisti

Muistityypit
Haihtuvat muistityypit
  • DRAM
    • SDRAM
    • SGRAM
  • eDRAM
  • SRAM
  • 1T-SRAM
  • Tulossa olevat
    • Z-RAM
    • TTRAM
Haihtumattomat muistityypit
  • Ferriittirengasmuisti
  • Flash-muisti
  • ROM
    • PROM
    • EPROM
    • EEPROM
  • Tulossa olevat
    • FRAM
    • MRAM
    • PRAM
    • SONOS
    • RRAM
    • NRAM

Faasimuutosmuisti (engl. Phase-change memory, PCM tai PRAM) on tietotekniikassa muistityyppi, joka on haihtumatonta muistia.[1][2] Muistityypin tekniikkaa on tutkittu ja kehitetty 1960-luvulta lähtien.[1] Muistin sanotaan tarjoavan parempaa kirjoitusnopeutta ja pienempää virrankäyttöä kuin flash-muistin.[1] Koska PCM-muisti ei tarvitse pyyhkimistä ennen kirjoittamista sen arvioidaan kestävän pidempään kuin flashin.[1]

Lähteet

  1. ↑ a b c d Sean Michael Kerner: What is Phase Change Memory? enterprisestorageforum.com. 18.7.2019. Viitattu 5.1.2021. (englanniksi)
  2. ↑ Otto Räisänen: Faasimuutosmuisti (PDF) lutpub.lut.fi. 13.11.2016. Viitattu 5.1.2021.