Epitaksja

Ten artykuł od 2019-01 wymaga zweryfikowania podanych informacji. Należy podać wiarygodne źródła w formie przypisów bibliograficznych. Część lub nawet wszystkie informacje w artykule mogą być nieprawdziwe. Jako pozbawione źródeł mogą zostać zakwestionowane i usunięte. Sprawdź w źródłach: Encyklopedia PWN • Google Books • Google Scholar • Federacja Bibliotek Cyfrowych • BazHum • BazTech • RCIN • Internet Archive (texts / inlibrary) Po wyeliminowaniu niedoskonałości należy usunąć szablon {{Dopracować}} z tego artykułu.

Epitaksja (gr. epi + taxis = na uporządkowanym) – technika półprzewodnikowa nakładania nowych warstw monokryształu na istniejące podłoże krystaliczne, która powiela układ istniejącej sieci krystalicznej podłoża. Opracował ją w 1957 roku N.N. Sheftal z zespołem. Pozwala ona kontrolować domieszkowanie warstwy epitaksjalnej (zarówno typu p, jak i n) i jest to niezależne od domieszkowania podłoża.

Odmianą tej technologii jest epitaksja z wiązek molekularnych, która umożliwia nanoszenie warstw krystalicznych o grubości jednego atomu i stosowana jest w produkcji kropek kwantowych oraz tak zwanych cienkich warstw.

Zjawisko epitaksjalnej krystalizacji lodu na jodkach metali jest wykorzystywane do rozpraszania mgły i wywoływania opadów^[1].

Rodzaje epitaksji

• MBE (molecular beam epitaxy) – epitaksja z wiązek molekularnych
• MOVPE (metalorganic vapour-phase epitaxy) – epitaksja z fazy gazowej z użyciem związków metaloorganicznych
• LPE (liquid‐phase epitaxy) – epitaksja z fazy ciekłej
• VPE (vapour-phase epitaxy) – epitaksja z fazy gazowej
• CBE (chemical-beam epitaxy) – epitaksja z wiązki chemicznej

Przypisy